北巡归来后，黄修远和陆学东、张镜鉴等人，一直在研究纺织法的新工艺。

半导体制造实验室内。

众人目前已经将芯片纺织机的工艺精度提升到12纳米的精度，不过量产型号的芯片纺织机，只能达到16纳米。

到了12纳米，其实已经到了光刻法的极限，为什么说12纳米是光刻法的极限。

拥有未来记忆的黄修远，自然清楚其中的猫腻。

未来三星、台积电所谓的10纳米7纳米5纳米，其实存在一种偷换概念的工艺，而英特尔由于没有代工业务，也懒得去理睬他们的“新工艺”。

其实在三星、台积电、英特尔三家生产的CPU，在性能上的对比，甚至还是英特尔更胜一筹。

为什么三星、台积电的5纳米，还干不过英特尔的12纳米?

这就是双方不同的工艺标准，导致英特尔和三星、台积电看似存在差距，实际上，是三星、台积电在标准上搞的鬼。

光刻法的极限工艺，就在12纳米附近，毕竟光刻要靠深紫外光和蚀刻，这是紫外光的物理性质决定的。

而纺织法的极限，取决于纳米线的横截直径，理论上单原子的纳米线，横截直径在纳米左右。

不过黄修远明白，纳米的芯片工艺，现阶段基本不可能实现，单单是一个量子隧穿效应，就足以让芯片报废。

为什么人类要追求更加小的芯片工艺?

答案是能耗。